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東莞記憶研發(fā)總部-2號研發(fā)樓/3號地下室項目之幕墻安裝工程

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  • 項目介紹
  • 工程概況
Project description
項目介紹
記憶科技集團成立于1997年，在深圳、蘇州、北京、成都、上海、東莞設(shè)有六大研發(fā)中心，在東莞、惠州、鄭州設(shè)有三座現(xiàn)代化制造基地，能夠為全球客戶提供從晶圓測試與分級、芯片封裝與測試，擁有數(shù)十條世界一流的全自動化高速SMT生產(chǎn)線。
東莞記憶存儲科技有限公司坐落在東莞美麗的松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，目前主要從事動態(tài)隨機儲存（DRAM)和閃存（FLASH）芯片封裝測試及工控產(chǎn)品與服務(wù)器制造。
創(chuàng)興建設(shè)承接了記憶研發(fā)總部-2號研發(fā)樓/3號地下室項目之幕墻安裝工程，本項目位于松山湖金多港西一路東側(cè)，規(guī)劃用地面積為20000 ㎡，總建筑面積為27265.57 ㎡，其中 1 號研發(fā)樓建筑面積為9449.86 ㎡及地下室498.31 ㎡，2 號研發(fā)樓建筑面積7150.31 ㎡及地下室建筑面積10665.41㎡。
Project profile
工程概況

項目地址： 廣東省東莞市松山湖金多港西一路東側(cè)

承建范圍： 幕墻工程，包含玻璃幕墻、門工程，陶土板幕墻，填充墻，金屬飾面，吊頂及雨蓬系統(tǒng)、玻璃欄桿、金屬格柵、鋁錳鎂板輕型屋面等供應(yīng)、制作、安裝所需的一切項目。

承建面積： 17815.72 ㎡

完成時間： 2023年2月6日 —— 2023年6月6日

工期時長： 120天

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